世界集成電路發展歷史

集成電路按應用領域可分為標準通用集成電路和專用集成電路。

按外形分

集成電路按外形可分為圓形（金屬外殼晶體管封裝型，一般適合用于大功率）、扁平型（穩定性好，體積小）和雙列直插型。

世界集成電路發展歷史

1947年：美國貝爾實驗室的約翰·巴丁、布拉頓、肖克萊三人發明了晶體管，這是微電子技術發展

中第一個里程碑；

1950年：結型晶體管誕生

1950年： R Ohl和肖克萊發明了離子注入工藝

1951年：場效應晶體管發明

1956年：C S Fuller發明了擴散工藝

1958年：仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數月分別發明了集成電路，開創了世界微電子學的歷史；

1960年：H H Loor和E Castellani發明了光刻工藝

1962年：美國RCA公司研制出MOS場效應晶體管

1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術，今天，95%以上的集成電路芯片都是基于CMOS工藝

1964年：Intel摩爾提出摩爾定律，預測晶體管集成度將會每18個月增加1倍

1966年：美國RCA公司研制出CMOS集成電路，并研制出第一塊門陣列（50門），為現如今的大規模集成電路發展奠定了堅實基礎，具有里程碑意義

1967年：應用材料公司（Applied Materials）成立，現已成為全球最大的半導體設備制造公司

1971年：Intel推出1kb動態隨機存儲器（DRAM），標志著大規模集成電路出現

1971年：全球第一個微處理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工藝，這是一個里程碑式的發明

1974年：RCA公司推出第一個CMOS微處理器1802

1976年：16kb DRAM和4kb SRAM問世

1978年：64kb動態隨機存儲器誕生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14萬個晶體管，標志著超大規模集成電路（VLSI）時代的來臨

1979年：Intel推出5MHz 8088微處理器，之后，IBM基于8088推出全球第一臺PC

1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問世

1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM

1985年：80386微處理器問世，20MHz

1988年：16M DRAM問世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬個晶體管，標志著進入超大規模集成電路（VLSI）階段1989年：1Mb DRAM進入市場

1989年：486微處理器推出，25MHz，1μm工藝，后來50MHz芯片采用 0.8μm工藝1992年：64M位隨機存儲器問世

1993年：66MHz奔騰處理器推出，采用0.6μm工藝

1995年：Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μm工藝；

1997年：300MHz奔騰Ⅱ問世，采用0.25μm工藝1999年：奔騰Ⅲ問世，450MHz，采用0.25μm工藝，后采用0.18μm工藝2000年：1Gb RAM投放市場

2000年：奔騰4問世，1.5GHz，采用0.18μm工藝

2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工藝。

2003年：奔騰4 E系列推出，采用90nm工藝。

2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工藝。

2007年：基于全新45納米High-K工藝的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。

2009年：intel酷睿i系列全新推出，創紀錄采用了領先的32納米工藝，并且下一代22納米工藝正在研發。

我國集成電路發展歷史：

我國集成電路產業誕生于六十年代，共經歷了三個發展階段：

1965年-1978年：以計算機和軍工配套為目標，以開發邏輯電路為主要產 品，初步建立集成電路工業基礎及相關設備、儀器、材料的配套條件

1978年-1990年：主要引進美國二手設備，改善集成電路裝備水平，在“治散治亂”的同時，以消費類整機作為配套重點，較好地解決了彩電集成電路的國產化

1990年-2000年：以908工程、909工程為重點，以CAD為突破口，抓好科技攻關和北方科研開發基地的建設，為信息產業服

務，集成電路行業取得了新的發展。

       集成電路產業是對集成電路產業鏈各環節市場銷售額的總體描述，它不僅僅包含集成電路市場，也包括IP核市場、EDA市場、芯片代工市場、封測市場，甚至延伸至設備、材料市場。集成電路產業不再依賴CPU、存儲器等單一器件發展，移動互聯、三網融合、多屏互動、智能終端帶來了多重市場空間，商業模式不斷創新為市

場注入新活力。

       目前我國集成電路產業已具備一定基礎，多年來我國集成電路產業所聚集的技術創新活力、市場拓展能

力、資源整合動力以及廣闊的市場潛力，為產業在未來5年～10年實現快速發展、邁上新的臺階奠定了基礎。